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STB24NM65N中文资料

STB24NM65N图片

STB24NM65N外观图

  • 大小:550KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
  • 其它有关文件:STB24NM65N View All Specifications
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:MDmesh™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:19A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:190 毫欧 @ 9.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2500pF @ 50V
  • 功率 - 最大:160W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:497-7002-6

STB24NM65N供应商

更新时间:2023-01-26 17:28:19
  • 供应商
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