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STB24NM65N中文资料

STB24NM65N图片

STB24NM65N外观图

  • 大小：550KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
  • 其它有关文件：STB24NM65N View All Specifications
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：MDmesh™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：19A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：190 毫欧 @ 9.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2500pF @ 50V
  • 功率 - 最大：160W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：D2PAK
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：497-7002-6

STB24NM65N供应商

更新时间:2023-01-26 17:28:19
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